开展半导体材料光电性质、半导体光电器件、集成光电子学及其应用等信息光电子学领域的研究，并进行半导体材料光电探测器、光电集成探测放大器等光电器件的研制，及开展光电集成OEIC的设计和研发。在国内首次研制成功同时具有光敏、放大和超高频等多功能的HEMT新型器件。将光探测、电放大、超高频HEMT有机地结合在一体，简化了OEIC探测放大器结构、大大降低了制备成本和难度，具有超高频、高响应度、高可靠性、低成本等优点，在光纤通信等领域有广泛的应用前景。采用激光诱导掺杂的方法研制GaN基蓝光LED，工作电流在20mA下工作电压<3.1V，－5V方向电压下漏电流0.01μA，LED波长约450nm，如图5所示。